RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Сравнить
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
28
Около 7% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.8
14.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.7
11.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR5
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
28
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
14.3
Скорость записи, Гб/сек
15.7
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
no data / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3867
2481
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link