RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Сравнить
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
28
Около 7% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.8
14.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.7
11.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR5
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
28
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
14.3
Скорость записи, Гб/сек
15.7
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
no data / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3867
2481
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link