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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Comparez
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Note globale
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
28
Autour de 7% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.8
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.7
11.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
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Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR5
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
28
Vitesse de lecture, GB/s
17.8
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
15.7
11.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
17000
Other
Description
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
no data / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3867
2481
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB Comparaison des RAM
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