RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Сравнить
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
40
43
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.0
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
40
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
16.0
Скорость записи, Гб/сек
9.6
14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2506
2965
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link