RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
71
86
Около 17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
2
14.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.1
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
86
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
14.3
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
1658
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Lenovo 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Kingston 9905403-434.A00LF 4GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link