RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
71
86
Около 17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
2
14.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.1
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
86
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
14.3
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
1658
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Corsair CMV4GX3M1C1600C11 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G3S1339M.M16FED 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link