RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Wynik ogólny
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,381.6
12.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
60
Wokół strony -107% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
29
Prędkość odczytu, GB/s
5,082.2
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,381.6
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
925
3239
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Kingston 9905403-001.B00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link