RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Confronto
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Punteggio complessivo
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
5
16.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,381.6
12.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
60
Intorno -107% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
60
29
Velocità di lettura, GB/s
5,082.2
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
2,381.6
12.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
925
3239
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Segnala un bug
×
Bug description
Source link