RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
19.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,381.6
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
60
Wokół strony -122% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
27
Prędkość odczytu, GB/s
5,082.2
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,381.6
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
925
3784
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link