RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
13.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
60
Wokół strony -62% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.2
2,381.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
37
Prędkość odczytu, GB/s
5,082.2
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,381.6
9.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
925
2722
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link