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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Compara
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
5
13.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
60
En -62% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.2
2,381.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
60
37
Velocidad de lectura, GB/s
5,082.2
13.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,381.6
9.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
925
2722
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
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Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
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