RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
16.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,381.6
14.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
60
Wokół strony -114% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
28
Prędkość odczytu, GB/s
5,082.2
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,381.6
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
925
3316
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link