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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
比较
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
总分
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
16.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,381.6
14.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
60
左右 -114% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
28
读取速度,GB/s
5,082.2
16.9
写入速度,GB/s
2,381.6
14.6
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
925
3316
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB RAM的比较
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
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