RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Porównaj
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
60
74
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
15.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.6
2,381.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
74
Prędkość odczytu, GB/s
5,082.2
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,381.6
8.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
925
1849
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Kingston 9905469-136.A00LF 4GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link