RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
60
Wokół strony -36% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
8.5
5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.6
2,381.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
44
Prędkość odczytu, GB/s
5,082.2
8.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,381.6
5.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
925
1660
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Golden Empire CL34-38-38 D5-5200 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link