RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
60
Wokół strony -36% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
8.5
5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.6
2,381.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
44
Prędkość odczytu, GB/s
5,082.2
8.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,381.6
5.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
925
1660
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link