RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
60
Wokół strony -36% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
8.5
5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.6
2,381.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
44
Prędkość odczytu, GB/s
5,082.2
8.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,381.6
5.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
925
1660
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NF-CG 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link