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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB

总分
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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

总分
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Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB

Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB

差异 规格 评论

差异

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB 需要考虑的原因
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
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Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB 需要考虑的原因
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    44 left arrow 60
    左右 -36% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    8.5 left arrow 5
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    5.6 left arrow 2,381.6
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 6400
    左右 3.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    60 left arrow 44
  • 读取速度，GB/s
    5,082.2 left arrow 8.5
  • 写入速度，GB/s
    2,381.6 left arrow 5.6
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    925 left arrow 1660

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB RAM的比较

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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RAM 2

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Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
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内存RAM
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
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Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
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内存RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
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