RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
60
Wokół strony -58% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.3
5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.1
2,381.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
38
Prędkość odczytu, GB/s
5,082.2
9.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,381.6
6.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
925
1493
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link