RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Wynik ogólny
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
19.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,381.6
10.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
57
60
Wokół strony -5% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
57
Prędkość odczytu, GB/s
5,082.2
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,381.6
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
925
2377
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link