RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wynik ogólny
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
64
Wokół strony 31% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8,883.4
10.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
14
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
64
Prędkość odczytu, GB/s
14,740.4
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
8,883.4
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2811
2194
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link