RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Porównaj
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8,883.4
15.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
44
Wokół strony -22% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
14
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
36
Prędkość odczytu, GB/s
14,740.4
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
8,883.4
15.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2811
3562
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link