RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8,883.4
13.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
44
Wokół strony -63% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
14
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
27
Prędkość odczytu, GB/s
14,740.4
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
8,883.4
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2811
3396
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link