RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Porównaj
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wynik ogólny
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8,883.4
11.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
44
Wokół strony -16% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
14
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
38
Prędkość odczytu, GB/s
14,740.4
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
8,883.4
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2811
2174
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
‹
›
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link