RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Porównaj
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8,883.4
10.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
44
Wokół strony -63% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
14
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
27
Prędkość odczytu, GB/s
14,740.4
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
8,883.4
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2811
2173
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link