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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Comparar
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8,883.4
10.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
44
Por volta de -63% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.8
14
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
27
Velocidade de leitura, GB/s
14,740.4
14.8
Velocidade de escrita, GB/s
8,883.4
10.2
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2811
2173
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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