RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8,883.4
10.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
44
Wokół strony -33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
14
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
33
Prędkość odczytu, GB/s
14,740.4
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
8,883.4
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2811
3035
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link