RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
51
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8,883.4
11.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
14
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
51
Prędkość odczytu, GB/s
14,740.4
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
8,883.4
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2811
2687
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link