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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
比较
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
总分
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
总分
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
44
51
左右 14% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8,883.4
11.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.6
14
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
5300
左右 4.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
51
读取速度,GB/s
14,740.4
15.6
写入速度,GB/s
8,883.4
11.8
内存带宽,mbps
5300
25600
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2811
2687
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
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Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
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