RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Porównaj
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wynik ogólny
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
44
Wokół strony -26% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.1
14
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
8,883.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
35
Prędkość odczytu, GB/s
14,740.4
9.1
Prędkość zapisu, GB/s
8,883.4
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2811
2229
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link