RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wynik ogólny
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8,883.4
10.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
44
Wokół strony -29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
14
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
34
Prędkość odczytu, GB/s
14,740.4
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
8,883.4
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2811
2789
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link