RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
54
Wokół strony -218% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
17
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
21.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
3481
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Crucial Technology BL51264BA160A.16FH 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Crucial Technology BL51264BA160A.16FH 4GB
Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link