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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
17
54
左右 -218% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.6
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
17
读取速度,GB/s
9.2
21.0
写入速度,GB/s
8.1
15.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
3481
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
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