RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
44
Wokół strony -33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
14
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
8,883.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
33
Prędkość odczytu, GB/s
14,740.4
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
8,883.4
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2811
2524
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link