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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Comparez
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Note globale
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Note globale
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
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Raisons de considérer
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
44
Autour de -33% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15
14
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.5
8,883.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
33
Vitesse de lecture, GB/s
14,740.4
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8,883.4
8.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2811
2524
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB Comparaison des RAM
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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