RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,303.7
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
117
Wokół strony -318% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
117
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,094.8
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,303.7
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
784
3693
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AW 2GB
Kingston 9905315-124.A00LF 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link