RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB vs Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,303.7
10.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
117
Wokół strony -266% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
117
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,094.8
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,303.7
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
784
2900
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AW 2GB
Kingston 9905315-124.A00LF 1GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G1601U1 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link