RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
53
Wokół strony 30% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
53
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
2755
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link