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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
53
左右 30% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.6
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.7
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
53
读取速度,GB/s
13.9
15.6
写入速度,GB/s
8.6
13.7
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
2755
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
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