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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
37
左右 16% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
13.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.9
10.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
37
读取速度,GB/s
17.4
13.5
写入速度,GB/s
10.9
10.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
2757
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
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