RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Porównaj
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
68
Wokół strony -162% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
1,670.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,554.9
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,670.7
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
513
3055
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link