RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
68
Wokół strony -143% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
1,670.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,554.9
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,670.7
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
513
3258
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link