RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
52
68
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
1,670.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
52
Prędkość odczytu, GB/s
3,554.9
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,670.7
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
513
2182
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link