RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
68
Wokół strony -94% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
1,670.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
35
Prędkość odczytu, GB/s
3,554.9
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,670.7
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
513
2676
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link