RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
68
Rund um -94% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.2
1,670.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
68
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,554.9
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,670.7
11.2
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
513
2676
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link