RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Porównaj
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
68
Wokół strony -172% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
1,670.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
25
Prędkość odczytu, GB/s
3,554.9
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,670.7
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
513
3187
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Apacer Technology 78.A1GA0.9L4 2GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-D8K3B 4GB
Crucial Technology CT25664BA160BJ.C4F 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link