RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
68
Wokół strony -162% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
1,670.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,554.9
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,670.7
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
513
3834
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link