RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Porównaj
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
68
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
1,670.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
34
Prędkość odczytu, GB/s
3,554.9
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,670.7
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
513
2201
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link