RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
68
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
1,670.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
34
Prędkość odczytu, GB/s
3,554.9
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,670.7
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
513
2763
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link