RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
66
68
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
1,670.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
66
Prędkość odczytu, GB/s
3,554.9
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,670.7
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
513
1699
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link