RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Wynik ogólny
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
21.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
63
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
1,583.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
37
Prędkość odczytu, GB/s
3,895.6
21.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,583.7
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
639
3448
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BY-3C 1GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link