RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
63
Wokół strony -142% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
1,583.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,895.6
19.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,583.7
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
639
3832
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BY-3C 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link