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SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
比较
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
总分
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
总分
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
19.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
63
左右 -142% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.5
1,583.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
26
读取速度,GB/s
3,895.6
19.7
写入速度,GB/s
1,583.7
15.5
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
639
3832
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB RAM的比较
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Kingston 9965434-069.A00LF 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
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