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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
比较
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
总分
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
总分
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
36
左右 -16% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.9
14.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
31
读取速度,GB/s
14.8
17.9
写入速度,GB/s
8.7
14.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2481
3538
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
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